삼성전자, 세계최초 '20나노 4기가비트 D램' 양산

삼성전자가 이달부터 세계 최초로 차세대 '20나노(1나노는 10억분의 1미터) 4기가비트(Giga bit) DDR3(Double Data Rate 3) D램'을 본격 양산하기 시작했다고 11일 밝혔다.

20나노 D램은 2012년 삼성전자가 세계 최초로 양산한 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다는 2배 이상 생산성이 높다. 삼성전자는 기존 설비로 20나노 D램 미세화 기술의 한계를 넘어 최소형 4기가비트 D램을 본격 양산한다.

20나노 D램에는 삼성전자의 '개량형 이중 포토 노광 기술', '초미세 유전막 형성 기술'이 동시에 적용됐다. 낸드 플래시는 셀(정보저장의 최소단위)이 트랜지스터 하나로 구성되어 구조가 비교적 단순하지만, D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층구조로 구성되기 때문에 그간 20나노 공정 미세화가 어려웠다. 삼성전자는 D램 공정한계를 개량형 이중 포토 노광 기술로 극복했다고 전했다.

또한 셀 캐패시터의 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노 단위에서 옹스트롬(10분의 1나노) 단위로 초미세 제어함으로써 균일한 유전막을 만들어 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보했다. 20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 "저전력 20나노 D램은 PC 시장에서 모바일 시장까지 빠르게 그 비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것"이라며, "향후에도 차세대 대용량 D램과 그린메모리 솔루션을 출시해 글로벌 고객과 함께 세계 IT 시장 성장에 크게 기여할 것"이라고 밝혔다.

글 / IT동아 나진희(najin@itdonga.com)