삼성전자, 45나노 공정 임베디드 플래시 로직 공정 개발

2013년 5월 15일, 삼성전자가 45나노 임베디드 플래시(embeded Flash 혹은 eFlash, 플래시메모리 내장형) 로직 공정 개발과 이를 적용한 스마트카드 IC 테스트 칩 개발에 성공했다고 전했다.

임베디드 플래시 로직 공정은 데이터를 제어하고 처리하는 시스템 반도체 회로 안에 데이터를 기억하는 플래시메모리 회로를 집적한 것이다. 이 공정을 사용하면 집적도와 전력효율을 높일 수 있어 가전, 모바일, 자동차 등 다양한 제품에 적용할 수 있다.

이번에 개발한 45나노 스마트카드 IC 테스트 칩은 기존 80나노 공정 제품 대비 생산성이 높고, 소모전력은 25% 낮췄으며, 내부 플래시 메모리에서 데이터를 읽어 오는 시간(Random Access Time)을 50% 줄였다. 특히, 플래시 메모리 한 셀(Cell)당 최소 100만 번 데이터를 갱신할 수 있다.

삼성전자는 설계/공정의 최적화 작업과 보안성 테스트를 거쳐 내년 하반기 45나노 임베디드 플래시 공정을 적용한 스마트카드IC를 양산할 예정이다. 또한, 이 공정기술을 활용해 소비자 가전과 차량용 MCU(Micro Controller Unit) 제품 분야에 솔루션을 제공할 계획이다.

삼성전자 시스템LSI사업부 김태훈 상무는 "이번 45나노 임베디드 플래시 로직 공정은 스마트카드, NFC 등 다양한 보안 솔루션과 모바일 제품에 적용할 수 있을 것으로 기대한다"라며, "다양한 제품군에서 우선 적용해 종합 모바일 솔루션 공급자로서의 입지를 강화할 것"이라고 밝혔다.

글 / IT동아 권명관(tornadosn@itdonga.com)